深圳市亿伟世科技新能源储能设计_储能变流器（PCS）_系统设计方案
72电路拓扑及参数定义 2 参数定义 参数 典型值 设计依据 额定功率 1-20MW 根据储能系统规模确定 直流输入电压 400-1500V DC 匹配电池 / 光伏系统电压等级 交流输出电压 400...
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电路拓扑及参数定义 2 参数定义 参数 典型值 设计依据 额定功率 1-20MW 根据储能系统规模确定 直流输入电压 400-1500V DC 匹配电池 / 光伏系统电压等级 交流输出电压 400...
查看全文随着新能源系统向高效率、高功率密度方向发展，功率半导体器件的选择成为系统设计的核心。本文聚焦金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在光伏逆变器与储能电池管理系统（BMS）中的关键技术应用，分析其高频...
查看全文一、MOSFET开关基础知识 一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端...
查看全文功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）...
查看全文功率MOSFET驱动电路 功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRS...
查看全文在选用功率开关器件时，并没有万全的解决方案，电路拓扑、工作频率、环境温度和物理尺寸，所有这些约束都会在做出最佳选择时起着作用。 在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中，MOSFET由于具有较快的开关速度和较...
查看全文随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化，电平位移驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。...
查看全文驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背...
查看全文SemiQ公司推出的SiC MOSFET模块在电动汽车电池化成系统中的应用突破，标志着SiC技术在电池制造领域的新进展。该技术提高了电池性能和耐久性，为电动汽车电池技术的提升提供了新的可能。 在电动汽车产业的飞速发...
查看全文新品 6.5A，5.7 kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板 ——SiC MOSFET半桥电路 该评估板用于评估半桥电路中的1ED314xMC12H隔离栅极驱动器IC。该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离...
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