深圳市亿伟世科技郑州大学研究团队_提出一种单级双有源桥型DC-AC变换器双模变频移相调制方法
59基于双有源桥(Dual-Active-Bridge，DAB)的单级式DC-AC变换器继承了DAB变换器结构简单、可以双向功率传输的优点，同时省去了大体积电解电容，具有长寿命、高可靠性和高功率密度的潜力。 针对单级双有源桥（DAB）型...
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基于双有源桥(Dual-Active-Bridge，DAB)的单级式DC-AC变换器继承了DAB变换器结构简单、可以双向功率传输的优点，同时省去了大体积电解电容，具有长寿命、高可靠性和高功率密度的潜力。 针对单级双有源桥（DAB）型...
查看全文本文针对光伏并网逆变器的拓扑优化设计，提出基于T型三电平结构的改进方案。通过降低开关器件电压应力、优化电容配置及调制策略，显著提升系统效率与并网电能质量。实验表明，该拓扑在中高压应用场景下可使开关损...
查看全文国产双通道7A高边智能开关 稳先微WSTD6020AN 是一款针对24V系统设计的高边驱动芯片，可直接替代英飞凌的 BTT6030-2ERB（Pin-to-Pin兼容），适用于汽车电子、工业控制等场景。以下是关键特性和对比分析： 一、核心...
查看全文近年来，功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）等电力电子器件在各个领域的应用越来越广，这些器件的结构和制造工艺基本接近其材料特性决定的理论极限。随着LD功率电源对开关器件性能要求越来越高，通过新材料来...
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查看全文碳化硅（SiC）模块方案（如BMF240R12E2G3）对工商业储能变流器PCS市场格局产生颠覆性的重构： 2025年，SiC模块方案（如BMF240R12E2G3）凭借效率、成本和政策支持的三重优势，将重构工商业储能PCS市场格局：储能变...
查看全文车载充电机OBC中部分国产SiC MOSFET“爆雷”的本质原因：栅氧可靠性的深度解析 栅氧工艺和电性能指标的矛盾：部分国产SiC碳化硅MOSFET厂商为降低成本，追求电性能指标，加上工艺条件受限，导致栅氧均匀性差、缺陷密...
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