深圳市亿伟世科技格力电器：SiC装机量突破100万台
554月22日，据“第一财经”消息，格力电器2025年第一次临时股东大会首次在其珠海碳化硅芯片工厂举行。据称，由该工厂生产的碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。 早在2024年11月，格力电器就对外透露...
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4月22日，据“第一财经”消息，格力电器2025年第一次临时股东大会首次在其珠海碳化硅芯片工厂举行。据称，由该工厂生产的碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。 早在2024年11月，格力电器就对外透露...
查看全文摘要 碳化硅（SiC）/二氧化硅（SiO₂）界面态密度（Dit）的控制是决定MOSFET器件性能的核心挑战。本文系统综述了近年来碳化硅界面钝化技术的进展，包括AlN超薄层插入、原子层沉积（ALD）优化、二维材料界面工程等...
查看全文摘要 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，其同质外延生长技术是制备高性能功率器件的关键。本文系统研究了4H-SiC到6H-SiC的相变行为及其缺陷调控机制，揭示了温度、掺杂浓度、表面形貌等因素对多型稳定性...
查看全文一、储能变流器的技术痛点与碳化硅机遇 储能变流器（PCS）作为连接电池储能系统与电网的核心设备，承担着充放电控制、功率调节、电能质量治理等多重功能。传统硅基IGBT模块在高频、高压场景下存在以下瓶颈： 开...
查看全文全球新能源汽车产业正掀起一场“800V高压平台”竞赛。从保时捷Taycan到比亚迪仰望U8，从特斯拉Cybertruck到小鹏G6，车企纷纷押注800V架构，试图通过提升充电效率、优化续航能力抢占市场先机。在这场技术革命中，碳...
查看全文一、成本构成与下降驱动力 碳化硅（SiC）模块的成本主要由以下四部分构成： 衬底材料（占比约50%）：高纯度碳化硅晶锭生长难度大，良率直接影响成本； 外延层制备（占比约25%）：缺陷密度控制决定器件性能；...
查看全文碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其耐高温、高压、高频及低损耗特性，在新能源汽车、智能电网、5G通信等领域展现出强劲的发展潜力。我国碳化硅产业历经十余年攻关，在材料制备和器件研发领域取得重...
查看全文宽禁带碳化硅（SiC）功率模块凭借其高频、低损优势，在新能源系统中得到广泛应用，但高温高湿（THH）环境下电化学迁移（Electromigration, EM）引发的可靠性问题严重制约其寿命。本文系统研究SiC模块中铝键合线、...
查看全文碳化硅（SiC） MOSFET凭借其高频、低损优势，在新能源与电力电子领域快速渗透，但寄生电感引发的电压尖峰、开关损耗增加及电磁干扰（EMI）问题严重制约其性能释放。本文系统分析寄生电感的产生机理，提出从封装结...
查看全文碳化硅（SiC）功率模块因其高频、低损优势，在新能源与电力电子领域快速渗透，但其结壳热阻（Rth(j-a)）的动态特性与温度波动对可靠性的影响仍是工程界的核心挑战。本文提出一种融合多物理场仿真的动态热阻建模方...
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