深圳市亿伟世科技慕尼黑上海电子展2025——智领未来，创芯共赢
56时间：2025年4月15-17日 地点：上海新国际博览中心 【核心亮点】 行业巅峰对话：全球半导体产业链领军企业汇聚，共探AIoT、新能源、智能汽车等前沿应用 技术突破发布：现场见证第四代SiC MOSFET技术平台全球首发...
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时间：2025年4月15-17日 地点：上海新国际博览中心 【核心亮点】 行业巅峰对话：全球半导体产业链领军企业汇聚，共探AIoT、新能源、智能汽车等前沿应用 技术突破发布：现场见证第四代SiC MOSFET技术平台全球首发...
查看全文碳化硅（SiC）作为一种第三代宽禁带半导体材料，在电力电子器件中展现出显著优势。以下从静态参数和动态参数两方面分点说明其性能优势： 一、静态参数优势 1、宽禁带特性（材料更“坚韧”） 禁带宽度（3.26 eV，是...
查看全文碳化硅（SiC）MOSFET因其高频、高温、高压性能优势，广泛应用于新能源、电动汽车、工业电源等领域。但在高功率场景中，单个器件可能无法满足电流需求，需通过并联多个器件实现扩容。然而，并联后各器件若电流分配...
查看全文随着电力电子技术的飞速发展，碳化硅(SIC)MOS管因其卓越的性能在高压、高温和高频应用中越来越受欢迎。在SIC MOS管的驱动技术中，负压关断是一个关键的技术点，它对于提高系统的可靠性和性能至关重要。本文将详细...
查看全文随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）的广泛应用，功率模块的封装技术面临高温、高功率密度和高可靠性的严苛要求。传统锡焊技术因熔点低、导热性差等问题难以满足需求，而银烧结技术凭借其卓越性能成为碳化硅MOS模...
查看全文碳化硅（SiC）光耦继电器结合了碳化硅材料的优异特性与光耦继电器的电气隔离优势，在高压、高频、高温等场景中表现突出，其核心优势如下： 1、 高压耐受能力强 材料特性：碳化硅是宽禁带半导体，击穿电场强度约...
查看全文在电力电子设计中，MOS管选型失误导致的硬件失效屡见不鲜。某光伏逆变器因忽视Coss参数引发炸管，直接损失50万元。本文以真实案例为鉴，MDD辰达半导体带您解析MOS管选型中的十大参数陷阱，为工程师提供避坑指南。...
查看全文[导读]在全球汽车产业向电动化、智能化加速转型的浪潮中，汽车级大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为核心功率器件，正处于聚光灯下。它的性能优劣、市场供应情况以及技术发展走向，深刻影响着新能源汽车的能效、...
查看全文《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》今天，我们将这期图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在驱动碳化硅MOSFET时采用米勒钳位功能的必要性。 01 什么是米勒现象 – ...
查看全文SiC MOS因其耐高压、高频和高温度特性，在新能源、轨道交通等领域广泛应用。然而，其较小的芯片面积和高电流密度导致短路耐受能力较弱，对保护机制和可靠性优化提出了更高要求。现在结合短路特性、检测方法、保护...
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