米勒钳位技术在SiC MOSFET中的应用：必要性分析与设计挑战

01 什么是米勒现象

– 在桥式电路中，功率器件会发生米勒现象，它是指当一个开关管在开通瞬间，使对管的门极电压出现快速升高的现象。

– 该现象广泛存在于功率器件中，包括IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET。

– 原理分析：当下管Q2保持关闭，在上管Q1开通瞬间，桥臂中点电压快速上升，桥臂中点dv/dt的水平，取决于上管Q1的开通速度。该dv/dt会驱动下管Q2的栅漏间的寄生电容Cgd流过米勒电流Igd；Igd=Cgd*（dv/dt），dv/dt越大，米勒电流Igd越大。

– 米勒电流Igd（红色线）的路径：Cgd→Rgoff→T4 →负电源轨，产生左负右正的电压。

– Vgs=Igd*Rgoff+负电源轨，这个电压叠加在功率器件门极，Vgs会被抬高，当门极电压超过Vgsth，将会使Q2出现误开通，从而造成直通现象。

02 如何反制米勒现象

– 使用门极电压的负压进行负偏置，使负压足够“负”。

– 提高器件门极的门槛电压（设计选型时选高Vgsth的器件）。

– Rgoff数值减小（Rgoff是米勒现象影响程度的主要贡献者之一，数值越大，米勒现象越糟糕）。

– 减慢功率器件的开通速度。

– 使用米勒钳位功能。

03 IGBT与SiC MOSFET对于米勒钳位的需求

以下表格为硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具体参数和性能数值对比。

– 驱动芯片的米勒钳位脚（Clamp）直接连接到SiC MOSFET的门极，米勒电流Igd（红色线）会流经Cgd→Clamp脚→T5到负电源轨，形成了一条更低阻抗的门极电荷泄放回路。

– 驱动芯片内部比较器的翻转电压阈值为2V（参考负轨），在SiC MOSFET关断期间，当门极电压低于-2V（负轨为-4V）时，内部比较器翻转，MOSFET (T5)被打开, 使得门极以更低阻抗拉到负电源轨，从而保证SiC MOSFET达到抑制误开通的效果。

04 米勒钳位作用//双脉冲平台实测对比

05 单通道带米勒钳位隔离驱动BTD5350Mx系列介绍

06 双通道带米勒钳位隔离驱动BTD25350xx