IGBT模块选型表
1243样品申请询价技术咨询在线咨询 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件,具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作...
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样品申请询价技术咨询在线咨询 相比于硅材料,碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍;单位面积阻隔电压的能力(击穿场强)约是硅的7倍;热导率方面是硅的3倍之多(功率器件运行时不可避免地有损耗,产生热量,能够...
查看全文π1xxxxxR是荣湃半导体推出的具有电气隔离功能的多通道数字光耦产品,相比光耦和普通数字隔离器具有工作电压范围更广、兼容性更强、面积更小、可靠性更高等优点。 Part Number Total Channel Amount Rever...
查看全文荣湃半导体数字隔离器π1xxx1x系列产品采用业界非常小的QFN封装,可实现1.5kVrms隔离耐压等级和高至200Mbps的两通道内信号传输。 Part Number Total Channel Amount Reverse Max Data Rate Fail-safe...
查看全文基于荣湃半导体独有的iDivider技术和成熟的标准半导体CMOS工艺,π1xxxxx系列数字隔离器具有出色的性能特征和可靠性,整体性能优于光耦和基于其他原理的数字隔离器产品。 Part Number Total Channel Amount...
查看全文产品型号 封装 应用拓扑 工作模式 VDD范围 检测脚最大耐压 最大工作频率 内置MOS Rdson(Ω) 内置MOS Bvdss(V) 输出功率范围(W) S7302 SOP8 Low Side DCM/QR 3V~6V N <100K 18mohm 40V <12W BP6216...
查看全文产品型号 封装 工作模式 VDD范围 待机功耗 最大工作频率 能效标准 内置MOS Rdson(Ω) 内置MOS Bvdss(V) 输出功率范围(W) BP8705D SOP8 DCM/CCM 8V~35V <75mW <65K 六级能效 1.8 650 <18W BP...
查看全文产品型号 封装 工作模式 VDD范围 待机功耗 最高工作频率 能效标准 内置MOS Rdson(Ω) 内置MOS Bvdss(V) 输出功率范围(W) S7132B SOP7 DCM 5V~22V <75mW <75K 六级能效 0.8A BJT 850V <5W S...
查看全文产品型号 封装 应用拓扑 输入电压 (V) 输出功率 (W) MOSFET BV (V) 开关频率 (kHz) 输入过压保护 待机功耗 (mW) 其它 BPA8604D SOP7 Flyback-SSR 85~265 6 700 132 无 30 AC过零检测 BPA8616D SOP7 Flybac...
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