深圳市亿伟世科技

2025/04/28 32

电力电子系统电磁兼容性设计的核心命题 在新能源车、工业变频器、光伏逆变器等电力电子系统中，高频开关噪声与共模电压是影响系统可靠性与电磁兼容性（EMC）的两大核心挑战。高频开关噪声源于功率器件（如SiC MOS...

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2025/04/28 29

高功率密度与高可靠性的协同优化 随着新能源汽车向800V高压平台演进，碳化硅（SiC）功率器件凭借其高频、低损、高温特性成为电机驱动系统的核心。然而，高压大电流工况下，SiC器件的快速开关特性（dv/dt>100kV...

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2025/04/28 32

面向高功率密度电驱系统的可靠性突破 在新能源汽车800V高压平台中，车规级碳化硅（SiC）功率模块通过多芯片并联方案实现高功率密度与高可靠性。然而，由于器件参数离散性、寄生参数差异及动态热耦合效应，多芯片...

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2025/04/28 33

高功率密度与高可靠性的协同突破 随着新能源车、智能电网及轨道交通的快速发展，碳化硅（SiC）功率模块因其高频、低损、高温特性成为电力电子系统的核心器件。然而，传统软钎焊工艺的局限性（如热导率低、机械疲...

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2025/04/28 34

在工业自动化、新能源系统及高可靠性场景中，光耦继电器作为电路隔离与信号传输的核心器件，长期面临高频损耗、温漂严重、寿命受限等瓶颈。碳化硅（SiC）材料的引入，凭借其宽禁带、高击穿场强、高热导率等特性，...

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2025/04/27 34

一、材料本征优势：突破硅基物理极限 1. ​超高击穿电场强度：高压器件的小型化革命 ​材料特性：SiC的临界击穿电场强度达3 MV/cm（硅仅0.3 MV/cm），是硅的10倍。 ​器件结构优化：在10kV器件中，SiC MOSFET的漂移...

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2025/04/21 2142

规格参数 品牌：AST Model Name：ASC1000N1200MD3 Package：DW3C Voltage：1200V Ron：1.7mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询

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2025/04/15 77

亿伟世科技提供以SiC为核心的功率转换解决方案， 适用于：新能源汽车及充电桩、新能源发电、工业电源、PD快充等领域。  HPD碳化硅模块特点 1. AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生...

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2025/04/15 66

MEK6碳化硅模块特点 1. 最高工作结温175℃； 2. 高功率密度，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4.  参数表现：  – VDS：650~1700V  – ID：100~400A  – RDS(on) ：2.5~25mΩ Product SKU ...

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2025/04/15 77

MEP碳化硅模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 5. 参数表现...

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2025/04/14 67

MED碳化硅模块特点 1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 4. 常关功率模块，...

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2025/04/11 61

深圳亿伟世科技致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、...

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