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相比于硅材料,碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍;单位面积阻隔电压的能力(击穿场强)约是硅的7倍;热导率方面是硅的3倍之多(功率器件运行时不可避免地有损耗,产生热量,能够做到把较多的热量导出来,代表了功率处理的能力比较强);电子漂移速度是硅的2倍左右;因碳化硅材料卓越的物理特性,碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。 碳化硅二极管根据不同的应用需求完成了多种形式的封装,以DNF、TO-247以及内绝缘的TO-220封装,也可以与传统Si器件直接做替换,为工程师们提供了极大的灵活性。

| Product SKU |
IF | VF | Package | Status | Data Sheet |
| ASC8D650DT2 | 8A | 1.45V | TO-247-2 | Product | |
| ASC30D650DT2 | 30A | 1.35V | TO-247-2 | Product |
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| Product SKU |
IF | VF | Package | Status | Data Sheet |
| ASC20D1200DT2 | 20A | 1.45V | TO-247-2 | Product | |
| ASC30D1200DT2 | 30A | 1.55V | TO-247-2 | Product | |
| ASC30D1200MT2 | 30A | 1.55V | TO-247-2 | Product | |
| ASC40D1200DT2 | 40A | 1.45V | TO-247-2 | Product | / |
| ASC100D1200DT2 | 100A | 1.6V | TO-247-2 | Product |
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| duct SKU | IF | VF | Package | Status | Data Sheet |
| ASC75D1700DT2 | 75A | 2.5V | TO-247-2L | Product |
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