深圳市亿伟世科技碳化硅（SiC）MOSFET替代硅基MOSFET的常见问题与解决方案
36碳化硅（SiC）MOSFET凭借其高频、低损、高耐压等优势，正逐步替代传统硅基MOSFET。然而，实际应用中仍面临可靠性、成本、驱动兼容性、散热设计等多重挑战。本文系统梳理SiC MOSFET替代过程中的核心问题，结合技术...
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碳化硅（SiC）MOSFET凭借其高频、低损、高耐压等优势，正逐步替代传统硅基MOSFET。然而，实际应用中仍面临可靠性、成本、驱动兼容性、散热设计等多重挑战。本文系统梳理SiC MOSFET替代过程中的核心问题，结合技术...
查看全文碳化硅（SiC）MOSFET的寄生二极管（体二极管）是其器件结构的固有特性，直接影响高频开关性能与系统可靠性。本文从器件物理结构出发，结合能带图、电场分布及开关波形，系统解析寄生二极管的形成机理、反向恢复特...
查看全文碳化硅（SiC）MOSFET因其高频、低损、高耐压的特性，在新能源、电动汽车等领域广泛应用。然而，在并联应用中，由于器件参数差异、寄生参数耦合及热分布不均等问题，易引发电流分配失衡，导致局部过热、效率下降甚...
查看全文引言 碳化硅（SiC）MOSFET因其高耐压、低损耗和高频特性，正在加速替代传统硅基功率器件。然而，其独特的物理特性（如高电子迁移率、薄栅氧层）也带来了严峻的短路可靠性挑战——SiC MOSFET的短路耐受时间（通常＜1...
查看全文碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其高击穿场强、低导通损耗和高频特性，正在重塑电力电子系统的效率边界。本文以典型BUCK电路为研究对象，通过理论分析、仿真建模与实验验证，系统对比SiC MOSFET与...
查看全文在新能源汽车“三电系统”中，功率半导体是电能转换效率的核心瓶颈。碳化硅（SiC）凭借其高频、高压、耐高温的物理特性，被视为下一代功率器件的颠覆性技术；而绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借成熟的工艺和成本优势...
查看全文碳化硅（SiC）MOSFET因其高耐压、低导通损耗和高温稳定性，已成为新能源汽车、高压直流输电等领域的核心功率器件。然而，其独特的物理特性（如高电子迁移率、薄栅氧层）对驱动电路设计提出了严苛要求，尤其是负压...
查看全文碳化硅（SiC）功率模块在高温、高功率密度工况下，多层陶瓷基板（如DBC、AMB）的热应力失效是制约其可靠性的核心问题。本文基于有限元仿真与实验验证，系统分析了AlN、Al₂O₃、Si₃N₄等陶瓷基板在热循环（-55℃~200℃...
查看全文电极材料是功率半导体器件的关键组成部分，其特性直接影响开关过程中的电荷注入、电场分布及能量损耗。本文系统研究了镍合金（如Ni-Cr、Ni-Si）与铂（Pt）作为新型电极材料对开关损耗的作用机理，揭示了功函数差...
查看全文金属-氧化物-半导体（MOS）结构的界面态密度（Dit）是决定器件性能与可靠性的核心参数。本文系统分析了界面态密度对阈值电压漂移、载流子迁移率、漏电流及热稳定性的影响机制，探讨了通过表面钝化、掺杂工程、应...
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