碳化硅_在电动汽车电池化成应用取得新突破

SemiQ公司推出的SiC MOSFET模块在电动汽车电池化成系统中的应用突破，标志着SiC技术在电池制造领域的新进展。该技术提高了电池性能和耐久性，为电动汽车电池技术的提升提供了新的可能。

在电动汽车产业的飞速发展中，电池技术的革新始终处于核心位置。近日，半导体公司SemiQ宣布，其已经开始向全球领先的电池制造商提供SiC MOSFET模块，供其集成到先进的电池化成系统中。这一进展标志着SiC技术在电池化成领域的突破性应用，也为电动汽车电池的性能提升带来了新的可能。

电池化成：提高电池性能与耐久性的关键

在锂离子电池的生产过程中，电池化成系统起着至关重要的作用。其主要功能是通过形成稳定的固态电解质界面，显著提高电池的使用寿命和整体性能。此外，这些系统还允许电池制造商执行电池退化分析、温度和应力测试，并检查电池可能的缺陷或性能问题。

为了确保电池的高效性能，电池化成系统需要精确地充放电，并采用高开关频率以实现对电流和电压的更精确控制。若MOSFET无法承受反复功率循环带来的热应力，故障可能导致测试中断并产生不准确的数据。因此，模块的转换效率及可靠性成为了核心考虑。

SemiQ SiC MOSFET模块：高效与可靠并存

为了应对这一挑战，SemiQ为100kW电池化成器提供了其GCMX003A120S3B1-N和GCMX003A120S7B1 QSiC™ 1200V SiC半桥模块，这些模块适用于并联10个10kW电池单元的配置。这些高速开关MOSFET模块具有极高的效率，开关损耗极低，设计集成了可靠的体二极管，并经过了超过1350V的测试，确保在严苛条件下的稳定运行。

每个10kW电池单元将集成12个模块，每个电池化成器需要120个模块来支持100kW的总功率。

然而，这里有一个值得讨论的技术问题：这些SiC MOSFET模块的额定电压为1200V，开关损耗非常低，但每个模块的电流达到数百安培：

GCMX003A120S3B1-N 625A

GCMX003A120S7B1为529A

而10kW的电池包需要12个这样的模块，这样的电流和功率配置是否合理？