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cascode sic开关

2023/02/23 1632

Cascode SiC开关是一种使用两个不同类型的晶体管（通常是一个SiC MOSFET和一个Si MOSFET）组成的开关电路，以提高整个系统的性能。这种设计可以带来以下几个优点： 高速开关：SiC MOSFET通常具有快速的开关速度...

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cascode sic会比普通sic速度快吗

2023/02/23 1407

Cascode SiC MOSFET相对于普通SiC MOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损失。这是由于Cascode SiC MOSFET结构将两个MOSFET级联，其中一个通常是低压侧的Si MOSFET，另一个是高压侧的SiC MOSFET。这样的结构使得...

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IGBT与VD的关系

2023/02/23 1350

IGBT是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）的缩写，而VD是指电压降（Voltage Drop）。 在电路中，IGBT通常用于控制高电压、高电流负载的开关，类似于开关管。当IGBT开启时，其通路中的电压...

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硅的临界击穿电场多少

2023/02/23 1907

硅的临界击穿电场约为10 MV/cm，也就是说当电场强度超过10 MV/cm时，硅材料就会发生击穿现象。这个数值在不同的硅晶体结构和掺杂情况下可能会有所不同，但一般来说都会在10 MV/cm左右。

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高压sic mosfet器件研究为何发展较慢

2023/02/23 1057

高压SiC MOSFET器件具有许多优势，例如低导通电阻、高温性能和高频特性等，因此在一些应用中有着广泛的前景，例如电动汽车、电力电子变换器和太阳能逆变器等。但是，这些器件的发展相对较慢，可能有以下几个原因...

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mos管中的体二极管可恢复吗

2023/02/17 1515

MOS管中的体二极管（也称为反并行二极管）是由MOS管的pn结形成的，主要用于在MOS管开关过程中提供反向电压保护。当MOS管截止时，体二极管处于正向偏置状态，当负载上的电压出现反向电压时，体二极管会导通，将反...

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单FET,MOSFET管应用场景

2023/02/17 1254

单FET或MOSFET管常用于开关电路和功率放大器等应用场景。下面分别介绍它们的主要应用场景： 单FET：单FET是一种场效应晶体管，具有开关速度快、控制电路简单、导通电阻小等优点。因此，它常用于高速开关电路中，...

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MOSFET和SBD区别

2023/02/17 1854

MOSFET和SBD是两种不同类型的半导体器件，其主要区别如下： 工作原理不同： MOSFET是一种场效应晶体管，其工作原理基于栅极电压控制沟道电阻的变化，从而控制漏极-源极之间的电流。而SBD是肖特基二极管，其工作...

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碳化硅多芯片并联栅源电压

2023/02/17 1248

在碳化硅多芯片并联场效应晶体管（SiC MOSFET）中，由于多个芯片并联，需要采取特殊的控制方法来保证各个芯片的电流分布均匀。其中，栅源电压是控制SiC MOSFET导通的重要参数之一，需要根据芯片数量和电路特性进...

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数字信号可以经过隔离芯片吗

2023/02/17 1566

是的，数字信号可以经过隔离芯片进行传输。隔离芯片主要用于将信号隔离开来，以达到电气隔离、地隔离或光隔离等的目的。隔离芯片通常由两个部分组成：隔离前端和隔离后端。 隔离前端负责将输入信号隔离开来，通常...

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