硅的临界击穿电场多少

硅的临界击穿电场约为10 MV/cm，也就是说当电场强度超过10 MV/cm时，硅材料就会发生击穿现象。这个数值在不同的硅晶体结构和掺杂情况下可能会有所不同，但一般来说都会在10 MV/cm左右。