Cascode SiC MOSFET相对于普通SiC MOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损失。这是由于Cascode SiC MOSFET结构将两个MOSFET级联,其中一个通常是低压侧的Si MOSFET,另一个是高压侧的SiC MOSFET。这样的结构使得Si MOSFET承担了较大部分的开关功耗和过渡损耗,而SiC MOSFET则承担了更大的电压负载,从而有效地提高了整个器件的开关速度和效率。
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