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MOS管的快速开启和关闭（管驱动电路设计）

2023/03/06 1806

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动...

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大功率OBC电路设计

2023/03/06 1448

10kw以上车载充电机电路设计参考。 三相电网通过双向AC/DC进行电压转换，然后通过DC/DC供电降压加到电池端，电池充电环节完成，放电的过程反向流动。 其中，控制电路mcu采用TC233，驱动IC采用1ED60H12AH,功率部...

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SIC二极管抗浪涌能力差的原因

2023/03/06 1700

SIC（碳化硅）二极管相比传统的硅二极管具有许多优点，例如低导通损耗、高速开关和高温工作等。然而，在某些情况下，SIC二极管的抗浪涌能力可能不如硅二极管，这主要是由以下原因造成的： 1. 碳化硅材料的特性：...

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三相逆变器老化测试

2023/03/06 1584

三相逆变器老化测试旨在评估逆变器在长期使用中的稳定性和可靠性，以确定其使用寿命和维护周期。测试一般包括以下几个方面： 1. 温度老化测试：逆变器在高温环境下运行一段时间，观察其性能和参数变化。这可以模...

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反应烧结碳化硅材料国内外技术对比

2023/03/06 1126

反应烧结碳化硅（RSSC）材料是一种高性能、高强度、高韧性、高温稳定性的陶瓷材料，具有广泛的应用前景。国内外在RSSC材料制备方面都取得了一定的进展，但是存在一些差异。 1. 制备工艺： 国内RSSC材料的制备工艺...

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优化MOS仿真中元胞漏电方法

2023/03/06 1781

在MOS器件的仿真中，元胞漏电是一个重要的问题。传统的元胞漏电方法一般采用格林函数或者表面积分等方法计算元胞间的电流，但是这些方法通常需要大量的计算资源和较长的计算时间。 优化MOS仿真中元胞漏电方法的一...

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碳化硅 栅极-源极电压

2023/03/06 990

碳化硅（SiC）功率器件的栅极-源极电压一般是指其漏电流小于1毫安时的电压，也被称为临界电压。由于碳化硅材料的物理特性不同于传统的硅材料，因此其栅极-源极电压范围与硅器件不同。 对于普通的碳化硅MOSFET器件...

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碳化硅衬底片发展前景

2023/03/06 1055

碳化硅（SiC）衬底片是制造SiC器件的关键材料之一，它可以提供高度晶格匹配、低缺陷密度和高质量的表面平整度。随着碳化硅功率器件市场的不断扩大，碳化硅衬底片也得到了广泛应用，并在未来几年内有望继续保持快...

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功率器件设计CSL

2023/03/06 1605

CSL是一种功率器件结构，其全称为”Carrier Stored Latch”（载流子存储触发器），是由双极晶体管、MOSFET和PNP型晶体管等器件组成的复合型功率开关。CSL技术以其高效、可靠、快速的特性在电力电子领域...

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Sicmosfet的研究领域

2023/03/06 932

Sicmosfet是一种基于碳化硅（SiC）半导体材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。由于其具有更高的击穿电场强度、更低的导通电阻、更高的开关速度和更低的开关损耗等特性，被广泛应用于高功率、高温度和高频率的...

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