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SiC MOSFET垂直结构工作原理

2023/04/01 1396

SiC MOSFET是一种基于碳化硅半导体材料的金属氧化物半导体场效应晶体管。它的垂直结构工作原理如下： SiC MOSFET的垂直结构包括源极、栅极和漏极三个区域。在栅极上加上正向电压，形成电场，使得电子在栅极和漏极...

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碳化硅芯片的设计和制造

2023/04/01 1556

众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制...

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什么是碳化硅器件

2023/03/28 1436

SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET，特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。 在众多半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿电场、高电子饱和漂移速...

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MOSFET体二级管反向导通

2023/03/27 1868

MOSFET体二极管（Body Diode）是MOSFET内部PN结的一个结，具有正向导通和反向截止的特性。当MOSFET处于截止状态时，体二极管处于反向偏置状态，不导电；当MOSFET处于导通状态时，体二极管处于正向偏置状态，可以...

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sic mosfet 导通电压

2023/03/27 988

SIC MOSFET是一种基于氮化硅（SiC）材料的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其导通电压取决于器件的设计和制造工艺，通常在2-4伏之间。具体的数值取决于器件的尺寸、材料和工艺参数等因素。需要注意的是...

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SiC MOSFET短路时间为什么小?

2023/03/25 1508

短路耐受时间(tsc)对于功率半导体器件来说是一个比较重要的参数，这也是为什么它会成为目前SiC推广和应用中被多次提及的原因。从目前来看，SiC的短路能力相对于先进的Si基IGBT来讲是低的。有的人就会说了，SiC宣...

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源极电压流向漏极的原因

2023/03/07 1638

在晶体管工作时，当基极电压足够高时，会使得集电极和源极之间形成一个导通的通路，这种导通状态也被称为开关状态。此时，源极电压就会变得足够低以维持晶体管的导通状态，同时漏极便开始流动电子流。因此，流向...

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保护板上的数字隔离器芯片是做什么用的

2023/03/06 1759

数字隔离器芯片是一种集成电路，用于将保护板上的信号进行隔离和转换。在一些特殊场合下，需要隔离不同电位之间的信号，以避免因电位差异而引起的干扰或损坏设备；同时，隔离后的信号还可以进行数字信号处理和转...

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氧化物结合碳化硅技术现状

2023/03/06 1444

氧化物结合碳化硅（Oxide-bonded Silicon Carbide，简称OSiC）技术是一种将氧化物与碳化硅精密连接的高温复合材料制备技术。该技术具有生产成本低、性能稳定可靠、使用寿命长等优点，因此在陶瓷、冶金、电力等众...

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DSP45-16A应用SIC碳化硅保护

2023/03/06 659

DSP45-16A是一种电力模块，可用于多种应用场合，其中包括使用SIC碳化硅保护的应用。SIC碳化硅保护可以提高DSP45-16A的耐压和耐温性能，并减少电流损失，从而提高设备的效率和可靠性。在使用SIC碳化硅保...

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