深圳市亿伟世科技「沟槽」的SiC 战场
1035* 来源：PGC Consultancy Ltd 作者：Peter Gammon 编译：吴晰 目前，SiC 行业出现了两极分化：一方面是选择保守、安全的平面 MOSFET 设计，另一方面是大力发展高效、紧凑的沟槽 MOSFET 设计。 虽然...
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* 来源：PGC Consultancy Ltd 作者：Peter Gammon 编译：吴晰 目前，SiC 行业出现了两极分化：一方面是选择保守、安全的平面 MOSFET 设计，另一方面是大力发展高效、紧凑的沟槽 MOSFET 设计。 虽然...
查看全文文章来源：北京科技大学-机械工程学院（冯明，侯东易，安嘉强） 摘要：以碳化硅（SiC)器件为代表的宽禁带半导体器件，对比以绝缘栅双极型晶体管（ICBT)为代表的硅基半导体功率器件，有开关损耗低、开关速度快、器...
查看全文怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些可行的解决方案。 首先，让我们了...
查看全文对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由...
查看全文碳化硅（SiC）技术比传统硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技术具有更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压能力以及更低的损耗等优势，提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍SiC的发展趋势及其...
查看全文首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。 芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构成。有一些只有Gate pad，如上图的芯片就...
查看全文来源：财联社 功率半导体器件在现代电力控制和驱动系统中发挥着重要作用。IGBT模块和IPM模块是其中两个最为常见的器件类型。它们都可以用于控制大功率负载和驱动电机等应用，但是它们的内部结构和功能有所不同，...
查看全文一、 前言 随着电动汽车的发展，汽车功率器件芯片也正在寻求能够有效处理更高工作电压和温度的组件。此时SiC MOSFET 成为牵引逆变器等电动汽车构建模块的首选技术。基于碳化硅的逆变器可使高达 800 V 的电气系统...
查看全文前 言 功率开关器件（如MOSFET, IGBT）广泛应用于新能源汽车、工业、医疗、交通、消费等行业的电力电子设备中，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。因此，实现更低的开关损耗和更低的导...
查看全文白色家电是对家电的一种分类的具体类别名称。白色家电指可以替代人们家务劳动的电器产品，主要包括洗衣机、部分厨房电器和改善生活环境提高物质生活水平（如空调、电冰箱等）。 碳化硅作为第三代半导体的代表...
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