深圳市亿伟世科技DFN3*3和TO-252对比优势
1359DFN3×3和TO-252是两种不同的封装类型，通常用于集成电路（IC）的封装和连接。它们具有不同的特点和应用优势，下面是它们之间的对比： 尺寸和功率承受能力： DFN3×3（Dual Flat No-Lead）封装通常较小...
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DFN3×3和TO-252是两种不同的封装类型，通常用于集成电路（IC）的封装和连接。它们具有不同的特点和应用优势，下面是它们之间的对比： 尺寸和功率承受能力： DFN3×3（Dual Flat No-Lead）封装通常较小...
查看全文碳化硅（SiC）之所以被电动车大量采用，因具有“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性，相较硅基半导体更适合车用。从硅基（Si）到碳化硅（SiC）MOS的技术发展与进步进程来看，面临的最大挑战是解决产品可靠...
查看全文与大多数功率半导体相比，IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装，同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度，有必要知道每个芯片的功耗...
查看全文1–35kV范围内中压（MV）配电和转换中的一些电力电子应用包括用于太阳能等可再生能源系统的并网逆变器和DC/DC转换器、电源管理和分断设备（如固态断路器）、用于直流微电网的DC/DC转换器1以及需要双向逆变器的电池...
查看全文1、功率 MOSFET简介 功率 MOSFET 于 20 世纪 70 年代首次推出，并成为世界上应用最广泛的功率晶体管。与双极功率晶体管等老技术相比，它们在线性和开关应用中具有许多优势。这些优势包括极大改进的开关特性、易...
查看全文导读 空调压缩机是热泵空调系统的核心,选择合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率,从而提髙整个系统的效率｡这里使用了双脉冲测试电路,对1200V的碳化硅MOSFET和硅IGBT的开关损耗进行对比｡使用PLECS仿真软件建...
查看全文碳化硅电机驱动系统电磁兼容建模技术研究 研究背景 随着碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新型宽禁带功率半导体器件的成熟应用，可以有效地提高电机驱动系统的效率、功率密度等关键性能指标。碳化硅电机驱动系统在航...
查看全文碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面： 充电模块：碳化硅作为未来电动汽车充电模块和电动模块中的关键先进电子材料，有望推动实现绿色出行的能源供应、低碳、智能、可持续发展，抢占未来高科...
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