深圳市亿伟世科技SIC碳化硅二极管选型指南
796相比于硅材料，碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍；单位面积阻隔电压的能力（击穿场强）约是硅的7倍；热导率方面是硅的3倍之多（功率器件运行时不可避免地有损耗，产生热量，能够做到把较多的热量导出来，代表了...
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相比于硅材料，碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍；单位面积阻隔电压的能力（击穿场强）约是硅的7倍；热导率方面是硅的3倍之多（功率器件运行时不可避免地有损耗，产生热量，能够做到把较多的热量导出来，代表了...
查看全文一些IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块封装设计中确实包括了开尔文（Kelvin）管脚。开尔文管脚是指专门用于门极驱动信号的返回（或参考）路径的管脚。这种设计能够提高驱动信号的准确性和效率，特别是在高速、高频...
查看全文在SiC（碳化硅）MOSFET的应用中，负压驱动（也称为负门极偏置）是一个重要的概念，它涉及在MOSFET的门极和源极之间施加负电压。这种做法主要用于提高器件的开关性能和可靠性，尤其是在高频、高压以及高效率要求的...
查看全文在电动汽车（EV）中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）扮演着核心角色，尤其是在驱动系统的功率转换和管理方面。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的高电流承载能力，使其成为高效率和高性能驱动系统的理想...
查看全文SiC MOSFET的驱动供电方案是确保其性能发挥至关重要的部分，因为这些器件通常工作在高电压、高频率条件下。为了有效地驱动SiC MOSFET，需要考虑下面这些关键点： 隔离： SiC MOSFET通常工作在高电压环境中，所以...
查看全文在讨论SiC MOSFET时，”阱”（或称为”阱区”，英文为 “well”）通常指的是半导体器件中的一种区域，它在器件的工作中扮演特定的角色。在硅(Si)或碳化硅(SiC)基MOSFET的上下文中...
查看全文在高功率应用中，例如大型电动车辆、电网设备或工业驱动系统中，为了满足高电流需求，经常需要将多个SiC（碳化硅）模块并联工作。SiC模块并联有几个关键考虑因素来确保高效、可靠的运行： 1. 动态匹配 并联的SiC...
查看全文SBD在半导体领域中代表肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）。肖特基二极管是一种金属-半导体接触的二极管，其特点是具有非常低的正向压降和极快的开关速度。 在碳化硅（SiC）芯片中，肖特基二极管的制程涉及...
查看全文IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种高效的半导体器件，因其出色的高速开关特性、高电压耐受能力和大电流驱动能力，在众多高科技领域中发挥着重要作用。以下是IGBT在各大领域的应用，以及在这些领域中多个具体应用...
查看全文IGBT知识课堂 在变频器设计中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）扮演了至关重要的角色，它不仅提高了变频器的效率和性能，而且还使得变频技术在各个行业中得到了广泛应用。本文将深入探讨IGBT在变频器中的应用，讨论...
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