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选型指南：如何根据参数表选择合适的IGBT产品

2024/03/24 939

IGBT知识课堂 引言 选型是电力电子设计中的一项关键步骤，特别是选择合适的IGBT产品来确保性能、效率和可靠性。理解IGBT参数表中的每一项数据对于做出明智的决策至关重要。本指南将带您了解如何根据电...

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IGBT技术基础：工作原理与特性

2024/03/24 1009

IGBT知识课堂 IGBT技术基础：工作原理与特性 引言 在现代电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术的广泛应用已经改变了高效能源转换的游戏规则。IGBT的独特性能使其成为从家用电器到电动汽车，再到太阳能...

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碳化硅模块的开关电阻

2024/02/24 782

碳化硅（SiC）模块的开关电阻（RDS(on)）是衡量模块在导通状态下内部电阻的一个关键参数，它直接影响到模块的功率损耗和效率。与传统的硅（Si）基模块相比，SiC模块因其材料固有的优越性能，如宽带隙、高热导率和...

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碳化硅mos 低温下损耗大的原因

2024/02/24 985

碳化硅（SiC）MOSFETs在低温下损耗增加的现象可能由几个因素导致。尽管SiC器件在高温下的性能优于传统硅（Si）器件，使它们在高温应用中非常受青睐，但在低温环境下，这些器件的一些特性变化可能会导致损耗增加。...

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大功率碳化硅开关频率

2024/02/24 929

碳化硅（SiC）作为一种宽带隙半导体材料，在大功率应用中特别受到青睐，原因在于其比传统硅（Si）器件具有更高的耐压能力、更低的导通损耗以及在高温环境下仍能保持良好性能的能力。SiC材料使得器件能够在高开关...

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sic功率模块 低功耗

2024/02/24 928

碳化硅（SiC）功率模块因其在高效能、高频率和高温性能方面的独特优势，正变得在低功耗和高效能电力转换应用中越来越受欢迎。SiC材料的物理特性，如宽带隙、高电场强度和高热导率，使得SiC功率模块在...

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碳化硅MOSFET晶胞设计

2024/02/24 917

碳化硅（SiC）MOSFET晶胞设计是碳化硅功率器件领域的一个重要组成部分，这种设计涉及到将SiC材料的独特物理性质与高效的器件结构相结合，以实现高性能的功率转换应用。碳化硅MOSFET与传统的硅（Si）MOSFET相比，...

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MOSFET热插拔

2024/02/24 744

MOSFET热插拔技术是指在电源系统或电子设备中，使用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为开关元件，以实现在不关闭系统电源的情况下，安全地添加或移除组件的技术。这种技术在服务器、网络设备、存储系统...

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碳化硅单管并联和模块

2024/02/24 733

碳化硅（SiC）是一种半导体材料，因其优异的物理和化学性质，如高热导率、低热膨胀系数、高温度和化学稳定性以及优越的电子性能，而在电力电子器件中得到广泛应用。碳化硅单管并联和模块是碳化硅技术在功率电子领...

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碳化硅（SiC）使用频率 介绍

2024/02/23 1025

碳化硅（SiC）是一种高性能半导体材料，因其出色的物理性质，被广泛应用于许多高端和高频率的电子设备中。这些物理性质包括高热导率、高电子迁移率、宽能带隙以及出色的电气稳定性和耐化学性。以下是碳化硅在不同...

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