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碳化硅二极管和普通肖特基二极管

2024/04/04 804

碳化硅（SiC）二极管和普通肖特基二极管都是广泛应用于电力电子领域的关键组件，尤其在需要高效率和高性能的场合。它们之间的主要区别在于所用半导体材料的物理性质，这些性质直接影响了它们的性能、应用范围和成...

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sic二极管相比si二极管的优势

2024/04/04 793

碳化硅（SiC）二极管相比传统硅（Si）二极管在多个方面提供了显著的性能优势，特别是在高功率、高温度和高频率应用中。以下是SiC二极管相比于Si二极管的主要优势：   1. 高温度操作能力 SiC：SiC材料能够在...

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SBD MOS 介绍

2024/04/04 949

SBD MOS（Schottky Barrier Diode Metal-Oxide-Semiconductor）通常指的是集成了肖特基势垒二极管（SBD）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的半导体器件。这种集成设计利用了SBD和MOSFET的优势，用于提...

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SBD晶圆是什么

2024/04/04 782

SBD晶圆指的是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）的硅片或碳化硅（SiC）片，这种硅片上制造了肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管是一种半导体器件，它利用金属与半导体之间形成的肖特基势垒来实现...

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sic mosfet 体二极管反向恢复电流

2024/04/04 845

SiC MOSFET内置的体二极管（也称为寄生二极管或内部二极管）在特定的应用场景中，比如在同步整流或者当MOSFET作为反向电流的路径时，会发挥作用。这个体二极管是由MOSFET的结构本身形成的，并非额外添加。它在MOS...

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SiC MOSFET和SiC SBD有什么区别？

2024/04/04 958

SiC MOSFET和SiC SBD是基于碳化硅（SiC）的两种不同类型的功率半导体器件，它们在高压和高温下的应用中具有显著的性能优势，但各自具有不同的特点和应用领域。 SiC MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）: ...

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高速场效应管

2024/04/01 738

高速场效应管是一种用于电子设备中的半导体器件，主要用于电信号的开关和放大。它是场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET）的一种，依靠电场来控制通道导电性，而不是电流（如在双极型晶体管中）。这使得...

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SICMOS 关断负电压使用-2.4和-3.6有区别吗

2024/04/01 643

SiC MOSFET的关断负电压（Negative Gate Voltage）用于确保在非导通状态下MOSFET完全关闭，避免由于栅极和源极之间的漏电或噪声引起的误导通。SiC MOSFET通常具有与传统硅MOSFET不同的栅极阈值电压，它们的栅极控...

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1200V75A IGBT用什么规格sic替换

2024/04/01 676

替换1200V、75A的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）时，选择SiC（碳化硅）MOSFET作为替代品需要考虑多个因素，包括耐压、电流承载能力、开关频率、损耗以及应用特定的性能要求。虽然SiC MOSFET在开关速度和热效率上可能...

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SS34与1N4148通用吗

2024/04/01 940

SS34和1N4148是两种不同类型的二极管，它们在电气特性和应用领域上有明显的差异，这意味着它们并不是通用的。以下是这两种二极管的基本特性和主要用途，以帮助理解它们的区别： SS34 类型：SS34是一款肖特基二极...

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