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碳化硅陶瓷 国外半导体领域

2023/03/06 937

碳化硅陶瓷（SiC Ceramic）是一种高性能材料，具有高强度、高硬度、高温度稳定性、优异的耐腐蚀性和低热膨胀系数等特点，被广泛应用于半导体、航空、国防、核能和化学工业等领域。 在半导体领域中，碳化硅陶瓷主...

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碳化硅模块原理

2023/03/06 1795

碳化硅（SiC）模块是一种集成了多个碳化硅器件的电子组件，用于将电能从一个电路转换到另一个电路，通常被用于高功率、高频率和高温度应用。 碳化硅模块的基本原理与普通的功率模块相似，但由于使用了碳化硅半导...

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SiC和Si器件在驱动上的区别

2023/03/06 1427

SiC器件和Si器件在驱动上的主要区别在于其电压、电流和频率等特性。 首先，SiC器件具有更高的击穿电场强度和更快的开关速度，因此需要更高的控制电压和更大的电流来进行驱动。一般来说，驱动SiC器件所需的控制电...

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碳化硅二极管在逆变器中的应用

2023/03/06 1037

碳化硅二极管（SiC Diode）因其具有高能效、低导通损耗和快速切换速度等特点，逐渐成为新型逆变器中的重要组成部分。 在逆变器中，碳化硅二极管主要用于整流和反并联保护。在整流方面，与传统硅二极管相比，碳化...

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mos管代替igbt模块

2023/03/06 1736

MOS管和IGBT模块都是常见的功率开关器件，它们在一些应用场景中可以相互替代。但是，在选择是否使用MOS管替代IGBT模块之前，需要考虑以下几个因素： 1. 工作电压：IGBT模块通常适用于高电压应用领域，其额定工作...

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NSI1050功耗

2023/03/06 1222

NSI1050是一种高效低压差线性稳压器，其功耗与工作状态和负载电流有关。在正常工作条件下，NSI1050的静态工作电流（即无负载电流）通常在100微安以下，这使得它非常适合用于低功耗应用场景中。而在有负载电流时，...

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IIC接口隔离与静电保护

2023/03/06 1470

IIC（Inter-Integrated Circuit）接口隔离和静电保护是在IIC总线通信过程中确保系统稳定性和可靠性的关键问题。 首先，IIC接口隔离可以帮助防止不同参考电位之间的干扰和噪声产生。在一些应用场景中，可能会存在...

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为什么温度升高二极管开启电压左移

2023/03/06 1674

二极管的开启电压（也称为正向电压降或正向压降）是指在正向偏置下，二极管开始导通所需的最小电压值。温度升高时，二极管的开启电压通常会左移，即变得更小。 这种现象可以归因于PN结区域的物理特性。PN结是二极...

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碳化硅MOS评估板

2023/03/06 729

碳化硅MOS评估板是一种用于评估和测试碳化硅MOS场效应晶体管（FET）的工具。该评估板可以帮助工程师在实验室环境中验证和优化碳化硅MOS FET的性能参数，如开关速度、功率密度、热稳定性等。 通常，碳化硅MOS评估...

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MOSFET短路耐受时间

2023/03/03 1850

MOSFET短路耐受时间是指MOSFET在短路状态下可以承受的最长时间，通常用来评估MOSFET的瞬态功率能力和可靠性。短路耐受时间受到多种因素的影响，包括MOSFET的封装、结构、材料等等。 在实际应用中，MOSFET的短路耐...

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