MOSFET短路耐受时间

MOSFET短路耐受时间是指MOSFET在短路状态下可以承受的最长时间，通常用来评估MOSFET的瞬态功率能力和可靠性。短路耐受时间受到多种因素的影响，包括MOSFET的封装、结构、材料等等。

在实际应用中，MOSFET的短路耐受时间通常是由制造商提供的参数之一，也可以通过测试获得。一般来说，MOSFET的短路耐受时间在几微秒至数十微秒之间，高端产品的短路耐受时间可以达到数百微秒。

需要注意的是，MOSFET的短路耐受时间是一种相对指标，不同的应用场景会有不同的要求。在高频应用中，短路耐受时间可能不是最关键的指标，而在高压、高功率应用中，短路耐受时间则非常重要。在实际选择MOSFET时，需要根据具体的应用要求进行综合评估。