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P沟道增强型VDS和CGS计算

2023/02/17 1874

在P沟道增强型场效应晶体管（P-Channel Enhanced Mode FET）中，VDS代表的是漏极（Drain）和源极（Source）之间的电压，CGS代表的是栅极（Gate）和源极之间的电容。 计算VDS时，需要考虑P-Channel Enhanced Mode ...

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快恢复二极管在变压器的输出端

2023/02/17 1232

快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称FRD）通常被用在变压器的输出端，以提高电路的效率和稳定性。在变压器输出端，FRD通常被用作输出整流器，用于将变压器输出的交流电信号转换为直流电信号。 由于FRD...

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比亚迪碳化硅开关频率多少

2023/02/17 1780

比亚迪的碳化硅开关频率取决于具体的产品和应用场景。碳化硅（SiC）器件的开关频率通常会受到多种因素的影响，包括工作温度、负载特性、散热情况等等。此外，不同的比亚迪碳化硅器件可能具有不同的特性和规格，因...

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碳化硅的电路符号

2023/02/16 1586

碳化硅 MOSFET 的电路符号与传统的硅 MOSFET 的符号类似，只是在符号上加上了一些特殊的标记来表示其特性。 以下是碳化硅 MOSFET 的常用电路符号： 其中，D、G、S 分别表示管子的漏极、栅极和源极，N 表示管子是...

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碳化硅多芯片并联栅源电压

2023/02/16 701

碳化硅多芯片并联的栅源电压取决于具体的电路设计和应用需求。栅源电压是 MOSFET 管子的一种基本电压，通常用来控制管子的导通和截止。 对于碳化硅 MOSFET，由于其高电子迁移率和高击穿电场强度，相比传统的硅材...

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MOS管体二极管反向恢复

2023/02/14 1299

MOS管体二极管反向恢复是指在MOS场效应管（MOSFET）的二极管从正向导通状态转换到反向封锁状态时，清除二极管中的少数载流子的过程。在这个过程中，会产生反向恢复电流，可能会导致电压过冲和电磁干扰，还可能会...

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碳化硅 下拉电阻

2023/02/14 1728

碳化硅（SiC）下拉电阻通常是指在SiC功率器件中用于控制器件关闭速度的电阻。在SiC功率器件中，由于其高速开关特性和较高的峰值电压，当控制器件关闭时会产生高峰值电流，这会导致设备失效或产生电磁干扰。因此，...

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光伏扬水逆变器会用到碳化硅吗?

2023/02/14 1753

光伏扬水逆变器是一种将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电的装置，用于给水泵等负载供电。在光伏扬水逆变器中使用碳化硅（SiC）器件有一定的可能性，因为SiC具有以下优点： 高温特性：SiC器件的工作温度可以...

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维也纳整流器功率管计算

2023/02/14 940

要计算维也纳整流器功率管的参数，需要知道以下信息： 输入电压：维也纳整流器的输入电压是多少？通常为交流电。 输出负载：维也纳整流器输出的负载是多少？需要知道输出负载的电流和电压。 功率管额定电压和电...

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什么是碳化硅二极管以及碳化硅二极管如何测量好坏

2023/02/14 1396

碳化硅二极管是什么意思 碳化硅二极管是用碳化硅为原料制作而成的二极管。碳化硅二极管，号称反向恢复时间为零，是高效PFC boost电路的专用升压二极管。以碳化硅二极管为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重...

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