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MOSFET vds 振铃

2023/02/10 1710

VDS 震铃是指在使用碳化硅 MOSFET 时，VDS（直流源漏电压）发生震荡的现象。这是由于 MOSFET 的特殊工作原理导致的，因为 MOSFET 是一种开关器件，它具有在开启和关闭状态间变化的能力。 当 MOSFET 处于开启状态...

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碳化硅mos管的优缺点

2023/02/10 1162

优点： 1、可靠性高：碳化硅mos管具有良好的可靠性，其可靠性能比普通晶体管和JFET要高得多。 2、电压放大器效率高：碳化硅mos管具有高电压放大器效率，可以节省大量的功率。 3、高频响应：碳化硅mos管具有较高的...

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碳化硅M0S缺点有哪些？

2023/02/10 1397

碳化硅 MOSFET 有一些缺点，包括： 动态电阻：碳化硅 MOSFET 在变化的电流和电压条件下具有变化的动态电阻，这可能影响电路的稳定性和效率。 过热问题：随着电流增加，碳化硅 MOSFET 的温度会升高，这可能...

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肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管有什么区别

2023/02/10 1475

  肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管是两种不同类型的二极管。 肖特基二极管是一种基于锗晶体管的二极管，它通常具有较高的管径和较低的散热性能。它们是用于频率较低的电子电路中，如功率放大器，脉冲发生...

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1n4148是肖特基二极吗

2023/02/10 1808

是的，1N4148是一种肖特基二极管。这是一种常用的快速整流二极管，通常用于数字电路中。它具有低功耗，高速率，低截止电压和较低的反向恢复时间等特点。

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为什么sicmos 负压高会影响阀值漂移

2023/02/10 1366

SiC MOSFET 被负压影响阀值漂移是因为这种器件具有较高的漏电流，这会导致控制端电压与源端电压之间的差值变小，从而影响 MOSFET 的开关性能。此外，高负压还可能导致 MOSFET 进入破裂模式，并引发其他不良影响。...

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SiC MOSFET对静电敏感吗

2023/02/10 1860

SiC (碳化硅) MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以其高击穿电压和高温操作能力而闻名，因此在高功率和高温应用中非常有用。然而，SiC MOSFET可能对静电放电（ESD）敏感，这可能会导致该器件的永久性损坏。 ...

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obc车载充电机mos需求

2023/02/10 913

OBC (On-Board Charger) 是指车载充电机。为了提高充电效率和满足高电压需求，OBC 设计中经常使用 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 管作为关键元器件。 对于 OBC 设计中的 MOS 管需求，主要有以下几点考虑...

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SIC 阈值电压波形

2023/02/10 979

SIC (Silicon Carbide) 是一种高效的半导体材料，常用于制造高效的开关器件，如快恢复二极管和整流二极管。SIC 器件的阈值电压波形是指其工作电压与电流之间的关系。 通常情况下，SIC 器件的阈值电压波形是一条斜...

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快恢复二极管用在开关电源哪个位置

2023/02/10 1839

快恢复二极管（Fast Recovery Diode）通常用于开关电源中的输出位置。在开关电源中，快恢复二极管的主要作用是作为一种电流整流元件，把输入的交流电流整流为直流电流，供应给电路中的其他元件使用。 快恢复二极...

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