碳化硅M0S缺点有哪些？

1. 动态电阻：碳化硅 MOSFET 在变化的电流和电压条件下具有变化的动态电阻，这可能影响电路的稳定性和效率。
2. 过热问题：随着电流增加，碳化硅 MOSFET 的温度会升高，这可能导致结构损坏和寿命缩短。
3. 电突发：在极端的电压条件下，碳化硅 MOSFET 可能发生电突发，从而导致电路损坏。
4. 控制难度：碳化硅 MOSFET 比其他器件要复杂，需要较多的技术知识才能正确地使用它们。
5. 成本：碳化硅 MOSFET 的生产成本比其他器件较高，因此在一些应用中可能不是最佳的选择。

尽管如此，碳化硅 MOSFET 仍然是一种非常有用的电子元件，它具有高效率，低噪声和高灵敏度等优点，在很多应用中仍然是一种常用的选择。

碳化硅MOS选型表