工程师家园 _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 29

SiC平面MOSFET工作原理

2023/02/07 1182

SiC平面MOSFET（又被称为SiC-MOSFET）是一种基于硅碳结构的可控整流器，是通过I-V曲线的改变来实现模拟电路的运行的。它的基本原理是由一对对称的p－n结构实现的可控晶体管，它的特点是有更高的饱和电压，更强的...

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sic mosfet 建模研究的意义

2023/02/07 1228

mosfet作为一种具有广泛应用的重要电子元件，其建模研究的意义是非常重要的。一方面，精确的mosfet建模可以更好的模拟实际电路中应用mosfet的特性，从而有效改善应用电路的性能。另一方面，mosfet建模还为实际应...

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丰田IGBT芯片是哪里生产的

2023/02/07 1762

丰田IGBT芯片由丰田电子制造有限公司（TEMCO）生产。TEMCO位于日本，主要专注于IGBT及其它智能电子元件的研发、生产和销售。

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SiC SBD和SiC MOSFET 区别及应用中的优缺点

2023/02/07 2038

SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片，具有较高的散热性和导电性能。 其差异在于： SiC SBD：SiC SBD（SiC 双极器）是将硅碳和硅晶体作为元件材料，构造出极化硅碳双极器。它由两个正反向双极器组...

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s4525s工作原理

2023/02/07 1772

S4525S是一种三相多功能AC电流传感器，主要功能是通过对三相交流电实时监测、采集，并将获取到的数据进行转换和处理，输出快速准确的电流信号，从而实现和实例的系统的互联互通。它采用专业的技术，能够源源不断...

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什么是MOSFET的反向恢复时间

2023/02/07 1646

MOSFET反向恢复时间是指在MOSFET处于反向状态后所需要的时间，在该时间段结束，MOSFET就从反向状态恢复到正常状态，这是由MOSFET中介介质的微小放电反应来实现的。反向恢复时间是电路性能中一个重要的参数，它影...

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sic mosfet充电桩方案

2023/02/07 1281

智能充电桩方案中，最常用的可能是SiC Mosfet充电桩方案，即使用晶体管器件使检测、传感、控制、解锁和安全等功能全部集成在一起，简化了系统的结构，同时减少了故障的发生概率，改善了系统的可靠性和使用寿命。...

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碳化硅二极管在光伏逆变器中的应用

2023/02/07 1012

传统光伏逆变器中，电机启动时需要一种高功耗高效率的软启动电路，通常使用的是碳化硅二极管。碳化硅二极管具有高热稳定性、抗尖峰热力性和大转换损耗，可以满足启动时的负载要求。碳化硅二极管可以有效地降低...

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驱动电路的效率问题,上下管直通带来的损耗

2023/02/07 1494

是现今驱动电路的最大缺陷，尤其是当电流很大时，耗散的热量就会变得很大，而很多时候热量还不能得到很好的冷却，导致材料受损。此外，上下管直通导致了许多不同电容和电感，在全工作条件下，回路有各种各样的衰...

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SiC double trench MOSFET 结构

2023/02/07 1017

SiC双沟MOSFET结构是一种在半导体表面上两种型号沟隙（drain trench和source trench）技术。这类结构主要由三部分组成，它们分别是基底层、沟隙层和硅沟底层。基底层负责连接MOSFET到电源电压，而沟隙层提供一种...

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