深圳市亿伟世科技碳化硅（SiC）电源管理解决方案搭配 可配置数字栅极驱动技术助力实现“万物电气化”
962绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放...
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绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放...
查看全文测不对SiC MOSFET驱动波形六 大 原 因 开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直...
查看全文1. 采用先进的银烧结工艺，AlN+AlSiC散热，最高工作结温200℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗。 DWC3模块EasyPACK模块EasyPIM模块Econodual模块HP1模块HPD模块XM3模块 D...
查看全文SIC器件产品覆盖650V/1200V/1700V/3300V (1A-100A) 封装：提供TO220、TO220全包封、TO220内绝缘、TO247-2L、TO247-3L、TO 247-4L、TO-252、TO263-2、SMA、DFN8*8、SOD123、DFN5*6等多款塑封以及 高温封装形式...
查看全文Si-MOSFET 、Si-IGBT 、GaN-MOSFET、SiC-MOSFET的电压、频率、功率之间的比较如下图所示： GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基 SiC MOSFET 主打高压领域；GaN MOSFET 主打高频领域。 根据功率...
查看全文SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半导体器件，在高速开关性能和高温环境中，优于目前主流应用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备应用中，SiC MOSFET模块可...
查看全文1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，...
查看全文功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。...
查看全文“开尔文”这个名字，大家应该并不陌生，高中物理应该都需学过，开尔文（Kelvins）为热力学温标或称绝对温标，是国际单位制中的温度单位，符号为K。开尔文温度和我们习惯使用的摄氏温度相差一个常数273.15，即T=t+2...
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