深圳市亿伟世科技正确使用SiC MOSFET的出色驱动器
1085碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来必将在大功率应用中取代硅。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序来保证其明确激活或停用。一般来说，它的闭合需要在“栅极”和“源极”之间施加大...
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碳化硅 (SiC) 是一种日益重要的半导体材料，未来必将在大功率应用中取代硅。为了更好地管理 SiC 器件，有必要创建一个足够的驱动程序来保证其明确激活或停用。一般来说，它的闭合需要在“栅极”和“源极”之间施加大...
查看全文在电动汽车领域，整车续航对客户的体验至关重要。电动汽车制造商一方面通过布置更大容量的电池来实现更高的续航;另一方面，从提升电驱动系统的效率和降低整车的阻力来提升续航能力。随着SiC MOSFET技术的发展，越...
查看全文中文引用格式：李许军，坚葆林.高压SiC功率半导体器件的发展现状与挑战[J].集成电路应用, 2020, 37(02): 30-33. Status and Challenges of High Voltage SiC Power Electronic Devices LI Xujun, JIAN Baolin Abs...
查看全文对设计人员而言，成功应用 SiC MOSFET 的关键在于深入了解 SiC MOSFET 独有的工作特征及其对设计的影响。SiC MOSFET的快速开关速度，高额定电压和低RDS(on)使其对于不断寻求在提高效率和功率密度的同时，保持系统...
查看全文碳化硅（SiC）MOSFET的快速开关速度，高额定电压和低RDSon使其对于不断寻求在提高效率和功率密度的同时保持系统简单性的电源设计人员具有很高的吸引力。 但是，由于它们的快速开关速度会产生高振铃持续时间的高...
查看全文用于高功率和高频应用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的结温，其特点包括低导通电阻和更高的开关。SiC MOSFET 允许构建具有更高功率密度和更高效率的转换器。然而，SiC MOSFET 的广泛采用受到...
查看全文1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联 Driver IC 1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min) 2、仿真电路Setup 如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并联的主回...
查看全文一种基于物理的沟槽栅SiC MOSFET器件模型 来源：三菱电机官网 一种基于物理的沟槽栅SiC MOSFET器件模型 Takeshi Horiguchi1, Takashi Masuhara1, Katsutoshi Sugawara2, Yasushige Mukunoki1 1 三菱电机先端技术...
查看全文针对分立SiC MOSFET器件，本文进行了两种SPICE模型的对比研究，其中一种是制造商提供的模型，另外一种是我们新开发的模型。本文对两种SPICE模型的组成元件进行了详细的对比。最后通过对仿真开关波形与实测开关波...
查看全文SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应...
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