深圳市亿伟世科技SiC MOSFET单管的并联均流特性
2159开篇前言 此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 特别提醒 仿真无法替代实验，仅供参考。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO24...
查看全文全站搜索
全站搜索
开篇前言 此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 特别提醒 仿真无法替代实验，仅供参考。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO24...
查看全文一、 引言 以Si为衬底的Mosfet管因为其输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，具有靠多数载流子工作导电特性，没有少数载流子导电工作所需要的存储时间，因而开关速度快，工作频率可到500kHz，甚至MHz以上。但...
查看全文对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰...
查看全文碳化硅二极管多为肖特基二极管。第一个商用 SiC 肖特基二极管是在 10 多年前推出的。从那时起，这些设备已被整合到许多电源系统中。二极管升级为 SiC 功率开关，例如 JFET、BJT 和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 ...
查看全文开关、电阻器和MOSFET的并联连接的目的是划分所涉及的功率并创建可以承受更大功率的设备。它们可以并联以增加输出电流的容量。因为它们不受热影响不稳定性，并联连接通常比其他更过时的组件更简单，更不重要。碳...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 SiC MOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 在本文中，我们将探讨具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装产品的电路板布局布线相关的注意事项。由于TO-247-4L的引脚分配与传统封装不同，因此需要注意布局布线。 具有驱动...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFE...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC M...
查看全文SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片，可确保低电容和栅极变化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系统的好...
查看全文