sic半导体工艺制作流程
2019目前全球95%以上的半导体元件,都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料,不过随着电动车、5G等新应用兴起,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为...
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目前全球95%以上的半导体元件,都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料,不过随着电动车、5G等新应用兴起,硅基半导体受限硅材料的物理性质,在性能上有不易突破的瓶颈,因此以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为...
查看全文放大器是一种电子设备,用于增强输入信号的幅度,它是唱片播放器或CD播放器等音频源以及均衡器、前置放大器和扬声器等其他设备的重要组成部分。放大器的子类别是MOSFET放大器,它使用MOSFET技术以更少的功率处理...
查看全文MOSFET是一种具有绝缘栅的场效应晶体管,主要用于放大或切换信号。在当前模拟和数字电路中,与BJT相比,MOSFET的使用频率更高一些。 MOSFET主要用于放大器,因为它们具有无限的输入阻抗,因此它允许放大器捕获几...
查看全文功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中的电压和频率,以及进行直流交流转换等功能,只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中,都会用到功率零部件。基本上,功率半导体大致...
查看全文为了达到空调新能效标准,早日实现国家提倡的“双碳”节能减排重大战略目标,在变频空调使用量及用电量极高的今天,进一步提升暖通空调的能效,具有十分重大的战略意义及经济效益。 近十年,碳化硅MOSFET逐步大批量...
查看全文BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进*的AC/DC转换器IC,采用一体化封装,已将1700V耐压的SiC MOSFET和针对其驱动而优化的控制电路内置于小型表贴封装(TO263-7L)中。主要适用于需要处理大功率的通用逆变器、AC伺服、商用...
查看全文Si MOSFET管因为其输入阻抗高,随着其反向耐压的提高,通态电阻也急剧上升,从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件,具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性...
查看全文与功率MOSFET相比,功率MOSFET中的SiC具有一系列优势,例如更高的电导率,更低的开关速度和更低的传导损耗[1] [2]-[6]。它还在较高的温度和电压下工作。有了这样的好处,它可以提高功率MOSFET的效率和功率密度。S...
查看全文用于高功率和高频应用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的结温,其特点包括低导通电阻和更高的开关。SiC MOSFET 允许构建具有更高功率密度和更高效率的转换器。然而,SiC MOSFET 的广泛采用受到...
查看全文概括 本文介绍了 1200 V SiC MOSFET 的短路能力和使用现成驱动器 IC 的过流保护解决方案。讨论了几个设计注意事项,以确保准确的测量。测试结果表明,SiC MOSFET 的短路能力与漏极电压和栅极电压高度相关,但对外...
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