碳化硅器件在光伏逆变器中的应用
2073地球表面每年接受太阳能辐射能量高达5.4*1024J,若能将其中的十万分之一转化为电能,就可以满足目前全世界的能耗需求。光伏因具有绿色环保,取之不尽,用之不竭的特点,近年来受到追捧。 2022年5月30日,财政部正...
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地球表面每年接受太阳能辐射能量高达5.4*1024J,若能将其中的十万分之一转化为电能,就可以满足目前全世界的能耗需求。光伏因具有绿色环保,取之不尽,用之不竭的特点,近年来受到追捧。 2022年5月30日,财政部正...
查看全文有无驱动器源极引脚的差异及其效果 本文的关键要点 ・具备驱动器源极引脚,可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。 ・具备驱动器源极引脚,可以提高导通速度。 在上一篇文章中,作为介绍驱动器源极引脚效果的前提...
查看全文本文的关键要点 ・具备驱动器源极引脚,可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。 ・具备驱动器源极引脚,可以提高导通速度。 在上一篇文章中,作为介绍驱动器源极引脚效果的前提,我们了解了在没有驱动器源极引脚的...
查看全文浪涌抑制电路的电路板布局注意事项 SiC MOSFET:栅-源电压的浪涌抑制方法 本文关键要点 ・浪涌抑制电路的电路板布局要考虑大电流高速开关的情况。 ・尽量将寄生电容、电感、电阻控制得更低。 ・尽量减少回流线...
查看全文正电压浪涌对策 本文的关键要点 ・通过采取措施防止栅极-源极间电压的正电压浪涌,来防止LS导通时的HS误导通。 ・具体方法取决于各电路中所示附加上的对策电路。 ・如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的...
查看全文浪涌抑制电路 在上一篇文章中,简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始,将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。 关于SiC功率元器件中栅极-源极间电...
查看全文什么是栅极-源极电压产生的浪涌? MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中,SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增,它的工作速度非常快,以至于开关时的电压和电...
查看全文SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作 总结 到目前为止,已经以“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source间电压的动作”为题,用了六个篇幅介绍了以大电流执行高速开关的桥式结构中可能出现的栅极电压的动作...
查看全文低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。 低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作 下面是表示LS MOSFET关断时...
查看全文上一篇文章中,简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。 SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电...
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