SiC-SBD-使用SiC-SBD的优势
2235点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。 SiC-SBD、SiーSBD、Si-PND的特征 SiC-SBD为形成...
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点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。 SiC-SBD、SiーSBD、Si-PND的特征 SiC-SBD为形成...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 所谓SiC-SBD-与Si-PND的正向电压比较 前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正...
查看全文SIC MOSFET 碳化硅功率元器件知识课堂 /* */ 前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别 二极管的正向电压V...
查看全文进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂学习更多.. 面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较tr...
查看全文进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂学习更多.. 继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。 SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管...
查看全文进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂学习更多.. 前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来...
查看全文点击进入SIC MOSFET碳化硅功率器件课堂 近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是因为,为了应对全球共通的 “节能化”和“小型...
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