深圳市亿伟世科技第三代电力电子半导体：SiC MOSFET学习笔记（五）驱动电源调研
22553.1 驱动电源 SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V；模块给出的都是-5/20V的推荐驱动...
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3.1 驱动电源 SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低，但只有驱动电压达到18V～20V时才能完全开通； Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册中单管MOSFET手册推荐栅源电压-4/15V；模块给出的都是-5/20V的推荐驱动...
查看全文碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容...
查看全文如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？ 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片，需要考虑如下几个方面： 驱动电平与驱动...
查看全文SIC MOSFET的特性 1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。 2、随着门极电压的升高，导通电阻越小，表现更接近于压控电阻。 3、开通需要门极电荷较小，总体驱动功率...
查看全文（一）初识SiC 科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC：技术和市场 数据来源：知乎、英飞凌官网、ST官网 一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起 上世纪五十年代以来，以硅（Si）材料为代表的第一代半导体材料取代了笨...
查看全文从美国早期的“民兵导弹”计划，以及“硅谷八叛将”思索更有效的办公室空气过滤能否提高工作效率开始，半导体行业经历了漫长的发展过程。近几年来，半导体更是极大地推动了能源的高效转换。 作者：安富利工程师Thomas...
查看全文碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、...
查看全文碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾 碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬...
查看全文摘要 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路过程中SiC MOSFET的高短...
查看全文一、碳化硅场效应管 SiC-MOSFET SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直被视为“理想器件”而备受期待。...
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