什么是碳化硅变容二极管?
2307变容二极管是一种非线性响应器件,用于谐波的产生、参数扩增、混合、检测和可变电压的微调。现在变容二极管主要用于毫米和亚毫米波频率的产生及各种微波应用中的调制。通常,利用适度掺杂的肖特基或p+n二极管电压...
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变容二极管是一种非线性响应器件,用于谐波的产生、参数扩增、混合、检测和可变电压的微调。现在变容二极管主要用于毫米和亚毫米波频率的产生及各种微波应用中的调制。通常,利用适度掺杂的肖特基或p+n二极管电压...
查看全文长期以来,在制造半导体器件的材料中,硅(Si)材料一直居于统治地位。随着电子科技的不断发展和进步,半导体器件的性能也需要不断提高,硅基器件的性能开始逐渐接近极限。同时,电子器件越来越多的工作在如航天...
查看全文在半导体材料的发展中,一般将Si、Ge称为第1代电子材料,GaAs、InP、GaP、lnAs、AlAs及其合金等称为第2代电子材料,而将宽带隙高温半导体SiC、GaN、AlN、金刚石等称为第3代半导体材料。SiC是第3代半导体材料的核心...
查看全文电力半导体器件的飞速发展推动了电力电子技术的发展,也大大拓宽了电力电子技术的应用范围。以硅(Si)技术为基础的材料和新结构器件已经在近十年来得到了长足发展,已经接近其理论限制。随着持续增长的大电流容...
查看全文碳化硅肖特基功率二极管经过10~15年的研究,已经成功从实验室走向商业化应用。当前德国Infineon,美国Cree、Semisouth,日本三菱等公司都提供相应的器件,在高性能的国防、工业自动化、汽车电子领域等得到了广泛...
查看全文1. 碳化硅材料的特性 长期以来,在制造半导体器件的材料中,硅(Si)材料一直居于统治地位。随着电子科技的不断发展和进步,半导体器件的性能也需要不断提高,硅基器件的性能开始逐渐接近极限。同时,电子器件越...
查看全文碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅(Si)PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。 最近几年...
查看全文随着电力电子技术的不断进步,由于传统的二极管整流或采用晶闸管的相控整流存在功率因数低、向电网注入谐波大等诸多弊端,在这种情况下,功率因数高、向电网注入谐波极小的PWM整流新技术应运而生。PWM整流的开关...
查看全文随着全球气候变暖,“低碳”变成了当今社会的热门词语,“低碳经济”、“低碳生活方式”,甚至连最热门的房地产行业最近也推出了“低碳楼盘”。而归根到底,“低碳”的本质就是降低能耗,减少二氧化碳的排放。据统计,60%~...
查看全文碳化硅(SiC)半导体材料是自第一代元素半导体材料(Si、Ge)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热...
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