三端型肖特基二极管 650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管
2348650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 产品型号G3S06510L 封装形式TO-247AB 打标G3S06510 产品特性 • 正温度系数,易于并联使用 • 不受温度影响的开关特性 • 最高工作温度 175℃ • 零反向恢复电流 • 零正向恢...
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650V/10A 碳化硅肖特基功率二极管 产品型号G3S06510L 封装形式TO-247AB 打标G3S06510 产品特性 • 正温度系数,易于并联使用 • 不受温度影响的开关特性 • 最高工作温度 175℃ • 零反向恢复电流 • 零正向恢...
查看全文肖特基二极管是以发明人肖特基博士命名。 肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路,...
查看全文不属于肖特基,最普通的整流二极管,小电流情况下可以用,我一般用在RCD箝位电路里 二极管类型:小信号 电流, If 平均:150mA 电压, Vrrm:100V 正向电压 Vf 最大:1V 时间, trr 最大:4ns 电流, Ifs 最大:500mA 封装...
查看全文首先是因为碳化硅二极管采用的是肖特基结构,另外采用的是碳化硅材料,该材料是属于第三代宽禁带半导体材料,材料本身的性能就优于硅材料。 通常大家所用的基本都是以硅为原料的二极管,但是最近比较热门的碳化硅...
查看全文两种二极管都是单向导电,可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁;肖...
查看全文1.宽禁带提高了工作温度和可靠性 宽禁带材料可提高器件的工作温度,6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高达3.0eV和3.25eV,相应本征温度高达800℃以上;即便就是禁带最窄的3C-SiC,其禁带宽度也达到2.3eV左右。用碳化硅做...
查看全文肖特基二极管与碳化硅二极管详细介绍 肖特基二极管 肖特基二极管是一种利用肖特基势垒工艺的二极管,和普通的PN结二极管相比,其优点:更快的反向恢复时间,很多称之为0反向恢复时 间。虽然并不是真的0反向恢复时...
查看全文SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应...
查看全文碳化硅,一种不怎么新的材料 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右,当时这种材料已被广泛用于制作防弹衣或者磨料。IGBT的发明者之一在1993年的文献[1]中讨论了与硅(Si)器件相比,不同SiC材料所具有...
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