深圳市亿伟世科技相比于Si器件，碳化硅MOSFET功率器件的优势体现在哪些方面？
2418碳化硅（SiC）是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大...
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碳化硅（SiC）是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大...
查看全文本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述：在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另...
查看全文为确保碳化硅（SiC）功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作，必须充分认识SiC 器件的短路机理。由于SIC MOSFET晶圆面积小，电流密度大且短路能力较弱，因此对电路保护要求更高。 SIC MOSFET驱动电路与现...
查看全文碳化硅mosfet是什么 在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 一种智能的碳...
查看全文一.碳化硅MOSFET隔离驱动要求 碳化硅MOSFET一般用于高压，大功率电源应用，这种电源由于系统要求需要做原副边的隔离，所以通过变压器从一边到另一边传递能量，而控制器一般放在其中一边，比如副边，驱动原边的碳...
查看全文引言 碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅元器件的效果非常好，但似乎对于碳化硅元器件的普及还有...
查看全文由于材料限制，传统硅基功率器件在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限。碳化硅功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等性能，在工业领域大有可为。碳化硅二极管主要被用于PFC boost电路中替代Si FRD...
查看全文如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要...
查看全文SiC-MOSFET应用实例1：移相DC/DC转换器 下面是演示机，是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制作的。 全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFE...
查看全文栅极氧化膜 CCS TDDB（Constant Current Stress Time Dependent Dielectric Breakdown：恒流经时绝缘击穿）试验中，栅极氧化膜可靠性的指标–QBD（Charge to Breakdown）为15～20C/cm2，与Si-MOSFET同等。 另外...
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