工程师家园 _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 47

  • 什么是全SiC功率模块?

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    所谓全SiC功率模块 从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体...

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  • SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作

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    SiC MOSFET低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作 当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所...

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  • SiC功率元器件 传统的MOSFET驱动方法

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    传统的MOSFET驱动方法 为了便于对驱动器源极引脚进行说明,我们先来了解一下传统的MOSFET驱动方法。 MOSFET通常为电压驱动型,通过开/关栅极引脚的电压来控制开关工作。下面是传统TO-247N封装(3引脚)MOSFET的常...

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  • 碳化硅SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法

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    桥式结构SiC MOSFET的栅极信号,由于工作时MOSFET之间的动作相互关联,因此导致SiC MOSFET的栅-源电压中会产生意外的电压浪涌。这种浪涌的抑制方法除了增加抑制电路外,电路板的版图布局也很重要。希望您根据具体...

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  • 碳化硅SiC可提高电机驱动的能效和可靠性

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    近年来,电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起,即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太阳能...

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  • 碳化硅SiC的应用范围有哪些?

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    SiC 是目前相对成熟、应用最广的宽禁带半导体材料,基于 SiC 的功率器件相较 Si 基器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、导通损耗与开关损耗更低、开关频率更高、可减小模块体积等杰出特性,不仅可广泛用...

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