搭载SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。
由IGBT的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：

• 开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化
  （例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化）
• 工作频率的高频化，使周边器件小型化
  （例：电抗器或电容等的小型化）
  

主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。

2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型的模块。
分为由SiC MOSFET + SiC SBD构成的类型和只由SiC MOSFET构成的类型两种，可根据用途进行选择。