工程师家园 _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 25

  • 碳化硅二极管:在光伏行业中的重要作用

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    随着全球对清洁能源的需求不断增长,光伏技术已成为可再生能源领域的一个重要组成部分。作为光伏系统的关键元件,碳化硅二极管在保护系统元件,控制电流和防止过压等方面发挥了重要作用。 碳化硅二极管具有...

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  • 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势

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    摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、...

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  • 碳化硅二极管电容

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    碳化硅二极管 (Silicon Carbide Diode) 是一种高频、高功率二极管,与传统的硅二极管相比,具有更高的耐压和更快的恢复时间。因此,碳化硅二极管常常用于电力电子应用,例如变流器、PFC(功率因数校正)、...

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  • 适合PFC的贴片二极管

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    PFC (Power Factor Correction) 电路通常需要高压高电流的二极管,因此通常使用贴片式二极管来实现。以下是一些常用的适用于PFC电路的贴片二极管: IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor):...

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  • DCDC动态响应电容

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    DCDC (DC-DC converter) 动态响应电容是指在 DC-DC 变换器中用于平衡电容和电感之间的相对关系,以提高系统的动态响应性。它通常连接到输入或输出电路,以改善系统的稳定性和降低其对负载变化的敏感性。 动态响应...

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  • 碳化硅 IGBT

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    碳化硅 IGBT 有机碳化硅IGBT是一种由有机碳化硅和金属氧化物发射极二极管(MOSFET) 组成的集成电路,它的电路结构可以把IGBT的输出电流调节为可控的状态,并可以提供高速和高功率效率。有机碳化硅IGBT有一个较小...

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  • SIC mosfet门极阈值电压不同原因

    1303

    SiC MOSFET 的门极阈值电压(Vth)不同的原因可能有以下几种: 材料差异:SiC MOSFET 的门极阈值电压取决于其主要结构材料的性质,不同的材料可能导致阈值电压的差异。 制造差异:不同的制造工艺也可能导致 SiC ...

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  • Simplorer使用产品SPICE模型进行仿真结果不收敛

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    如果 Simplorer 使用的 SPICE 模型在仿真时不收敛,可能有以下几种原因: 模型不完整:如果模型缺少某些关键参数或信息,那么仿真结果可能不收敛。 参数不合适:如果参数设置不合理,比如误差过大,仿真结果可能...

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  • 大功率 4H-SiC GTO 晶闸管研究

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    4H-SiC GTO (Gate Turn-Off Thyristor) 晶闸管是一种大功率的晶闸管,它具有高效率、高稳定性和高可靠性等优点。它主要用于高压直流(HVDC)和大功率换流电源等领域。 4H-SiC GTO 晶闸管采用了碳化硅材料,具有高...

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