深圳市亿伟世科技碳化硅二极管的应用
1806碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐...
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车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。 通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经...
查看全文碳化硅二极管是什么? 碳化硅二极管是单极器件，因此与传统的硅快速恢复二极管(硅FRD)相比，碳化硅二极管具有理想的反向恢复特性。当器件从正向切换到反向阻断方向时，几乎没有反向恢复功率，反向恢复时间小于20ns...
查看全文碳化硅二极管是一种半导体器件，具有高耐压、高稳定性和高效率等优点。因此，碳化硅二极管在光伏领域有广泛的应用。 光伏系统中，碳化硅二极管通常用作开关，在输出电流大于额定值时断开，以保护整个电路免受损坏...
查看全文“击穿” 是电子学中的术语，指的是二极管的通过电流大到一定程度而导致的电压降低。当二极管的通过电流超过其额定值时，二极管就会击穿，电流通过二极管，导致二极管的电阻变小，从而导致电压降低。在...
查看全文ID-Vd 曲线是指晶体管的电流对于源极-漏极电压（Vds）的变化关系，通常在加入偏压的情况下测量。当晶体管的 Vds 增加时，电流（Id）通常也会随之增加，因此 ID-Vd 曲线通常呈上升趋势。 这个上升趋势可以被解释为...
查看全文在从硅器件向碳化硅器件的转换中，变流器设计面临许多挑战。一些常见的问题如下： 过流保护：碳化硅器件具有比硅器件更高的峰值电流容量，但同时也更容易出现过流故障。因此，变流器设计必须对碳化硅器件的过流...
查看全文MOSFETs（场效应管）和IGBTs（整流晶体管场效应管）在电磁兼容（EMC）性能方面有所不同。 MOSFETs具有优秀的开关特性，使得它们可以快速开关，但它们可能会产生大量的电磁干扰，对附近的电子设备造成干扰。...
查看全文SiC MOSFETs（碳化硅MOS场效应管）与Si MOSFETs（硅MOS场效应管）相比，有许多优势： 高电压稳定性：SiC MOSFETs具有高达1,200 V的峰值重复恢复电压，比Si MOSFETs高出几倍。这使得它们更适合高压应用。 高效率...
查看全文是的，碳化硅可以代替普通场效应管，在一些应用场景中，碳化硅二极管甚至具有优越的性能。碳化硅二极管具有高的耐压性和耐热性，因此可以用于高压和高温的应用场合。此外，碳化硅二极管还具有快速响应速度和高效...
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