mos和igbt的emc表现

MOSFETs（场效应管）和IGBTs（整流晶体管场效应管）在电磁兼容（EMC）性能方面有所不同。

MOSFETs具有优秀的开关特性，使得它们可以快速开关，但它们可能会产生大量的电磁干扰，对附近的电子设备造成干扰。

相比之下，IGBTs具有较差的开关特性，但它们的电磁干扰更小，对附近的电子设备的影响更小。此外，IGBTs具有更高的欠压耐受能力，因此更适合需要保护的应用，例如逆变器。

总的来说，MOSFETs和IGBTs的EMC性能取决于特定的应用要求，需要根据具体情况进行选择。在需要快速开关的应用中，MOSFETs可能是一个更好的选择，而在需要高的EMC性能的应用中，IGBTs可能是一个更好的选择。