MOS管体二极管反向恢复 2023/02/14 分类:工程师家园 1300 0 MOS管体二极管反向恢复是指在MOS场效应管(MOSFET)的二极管从正向导通状态转换到反向封锁状态时,清除二极管中的少数载流子的过程。在这个过程中,会产生反向恢复电流,可能会导致电压过冲和电磁干扰,还可能会损坏MOSFET。为了降低反向恢复效应,MOSFET设计中常用的技术包括使用快速二极管或反并联二极管等方法。 上一篇: 碳化硅 下拉电阻 下一篇: 碳化硅多芯片并联栅源电压
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