碳化硅 栅极-源极电压

碳化硅（SiC）功率器件的栅极-源极电压一般是指其漏电流小于1毫安时的电压，也被称为临界电压。由于碳化硅材料的物理特性不同于传统的硅材料，因此其栅极-源极电压范围与硅器件不同。

对于普通的碳化硅MOSFET器件，其栅极-源极电压通常在15至20伏之间。而对于JFET和IGBT等碳化硅器件，则可以具有更高的栅极-源极电压，达到70伏或以上。

需要注意的是，碳化硅器件在工作过程中可能会受到温度、电压和电流等多种因素的影响，从而导致其栅极-源极电压出现变化。因此，在实际应用中需要根据具体情况进行测试和调整，以保证器件正常工作和长期可靠性。