EP碳化硅模块特点

分类:SiC MOSFET模块 47 0

EP碳化硅模块特点
1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃;
2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;
3. 适用高温、高频应用;
4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;
5. 参数表现:
– VDS:650~1200V
– ID:30~200A
– RDS(on) :6~80mΩ

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID Status Datasheet
ASC200N650EP
650V
6mΩ 200A Product /
ASC200N1200EP
1200V
8mΩ 200A Product PDF
ASR12N1200EP
1200V
11.2mΩ 132A Product PDF
ASR23N1200EP
1200V
22.5mΩ 100A Product PDF

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