深圳市亿伟世科技碳化硅功率模块SIC mosfet Power module ASC1000N1200MD3 1200V电机控制
2143规格参数 品牌：AST Model Name：ASC1000N1200MD3 Package：DW3C Voltage：1200V Ron：1.7mohm Temperature Range：-40～150°C Status：Product 样品申请询价技术咨询在线咨询
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HPD碳化硅模块特点
77亿伟世科技提供以SiC为核心的功率转换解决方案， 适用于：新能源汽车及充电桩、新能源发电、工业电源、PD快充等领域。 HPD碳化硅模块特点 1. AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生...
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MEK6碳化硅模块特点
66MEK6碳化硅模块特点 1. 最高工作结温175℃； 2. 高功率密度，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数表现： – VDS：650~1700V – ID：100~400A – RDS(on) ：2.5~25mΩ Product SKU ...
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MEP碳化硅模块特点
77MEP碳化硅模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 5. 参数表现...
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MED碳化硅模块特点
67MED碳化硅模块特点 1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 4. 常关功率模块，...
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SiC-MOS_List
61深圳亿伟世科技致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、...
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SiC-Diode_List
46深圳亿伟世科技致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、...
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SJ-IGBT_SJBTR_G2代
32深圳亿伟世科技致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、...
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SJ-IGBT_SJBT®_G2代
37深圳亿伟世科技致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、...
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SJ-IGBT_SJBTR_G2代
40深圳亿伟世科技致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、...
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