HPD碳化硅模块特点

分类:SiC MOSFET模块 78 0

亿伟世科技提供以SiC为核心的功率转换解决方案,

适用于:新能源汽车及充电桩、新能源发电、工业电源、PD快充等领域。 

HPD碳化硅模块特点

1. AlN+AlSiC散热,最高工作结温175℃;

2. 第三代模块寄生电感低于10nH,比现有模块小50%以上,降低开关损耗;

3. 参数表现:

 – VDS:650~1700V

 – ID:400~1000A

 – RDS(on) :1.3~6.5mΩ

    • Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID Status Datasheet
      ASC800N650HPD 650V 1.5mΩ 800A Product PDF
      ASC400N650HPD
      650V 3mΩ 400A Product /
      ASC800N1200HPD 1200V 2mΩ 800A Product PDF
      ASC800N1200HPDL 1200V 2mΩ 800A Product PDF
      ASC600N1200HPD 1200V 2.7mΩ 600A Product PDF
      ASC600N1200HPDL 1200V 2.7mΩ 600A Product PDF
      ASC400N1200HPD
      1200V 4mΩ 400A Product PDF
      ASC800N1700HPD 1700V 3.25mΩ 800A Product PDF
      ASC400N1700HPD
      1700V 6.5mΩ 400A Product PDF
      ASC400N1700HPDL
      1700V 6.5mΩ 400A Product PDF

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