MEP碳化硅模块特点

分类:SiC MOSFET模块 78 0

MEP碳化硅模块特点

1. 采用先进的真空回流焊工艺,Al2O3绝缘陶瓷,最高工作结温150℃;

2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;

3. 适用高温、高频应用;

4. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;

5. 参数表现:

 – VDS:650~1700V

 – ID:30~300A

 – RDS(on) :3.3~80mΩ

Product SKU     VDS  RDS(on) @25℃   ID Status Datasheet
ASC300N650MEP2B
650V
4mΩ
300A
Product
/
ASC200N650MEP2B
650V
6mΩ
200A
Product
PDF
ASC300N1200MEP2B
1200V
5.3mΩ
300A
Product
PDF
ASC100N1200MEP4B
1200V
16mΩ
100A
Product
PDF
ASC100N1200MEP6B
1200V
16mΩ
100A
Product
/

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