MED碳化硅模块特点

分类:SiC MOSFET模块 68 0

MED碳化硅模块特点

1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;

2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;

3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;

4. 常关功率模块,零拖尾电流,寄生电感小于15nH,开关损耗低;

5. 参数表现:

 – VDS:650~1700V

 – ID:270~1000A

 – RDS(on) :1.3~8.3mΩ

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID Status Datasheet
ASC800N650MED
650V 1.5mΩ 800A Product PDF
ASC400N650MED
650V 3mΩ 400A Product /
ASR1P5N1200MED-A 1200V 1.3mΩ 1000A Product PDF
ASC900N1200MED 1200V 1.8mΩ 900A Product PDF
ASC800N1200MED 1200V 2mΩ 800A Product PDF
ASC600N1200MED 1200V 2.7mΩ 600A Product PDF
ASC400N1200MED 1200V 4mΩ 400A Product PDF
ASC300N1200MED 1200V 5.3mΩ 300A Product PDF
ASC800N1700MED 1700V 3.2mΩ 800A Product PDF
ASC600N1700MED 1700V 4.3mΩ 600A Product PDF
ASC400N1700MED 1700V 6.5mΩ 400A Product PDF
ASC300N1700MED
1700V 8.7mΩ 300A Product PDF

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