产品中心 _ 深圳市亿伟世科技 _ Page 3

SJ-MOS_500V_ I 代

2025/04/11 26

致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务...

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MD3碳化硅模块特点

2025/04/11 71

MD3碳化硅模块特点 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用，超低损耗； 4. 集成...

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EP碳化硅模块特点

2025/04/11 48

EP碳化硅模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 5. 参数表现： &#...

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DCS12碳化硅模块特点

2025/04/10 54

DCS12碳化硅模块特点 1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 4. 参数表现： – VDS：650~1700V – ID：...

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D21碳化硅模块特点

2025/04/10 44

D21碳化硅模块特点 1. 系统体积小，成本降低 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 散热能力强。 Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID Status Datasheet ASC30N1200D21 1200V 80mΩ 32A Product PDF...

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62mm碳化硅模块特点

2025/04/10 57

62mm碳化硅模块特点 1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数表现： – VDS：650~1700V – ID：30~600A – ...

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34mm模块特点

2025/04/10 38

1.34mm碳化硅模块采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 参数表现： VDS：650~1700V ID：30~300A RDS(on) ：4~80mΩ Product SKU ...

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SSF65R420S2

2025/02/13 328

样品申请询价技术咨询在线咨询 致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车...

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SSN65R360S2

2025/02/13 278

样品申请询价技术咨询在线咨询 致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车...

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SSN65R360S2

2025/02/13 257

样品申请询价技术咨询在线咨询 致力于设计并提供国产中高端功率器件，采用国际主流的生产工艺，与国内外知名代工厂合作，向市场提供高可靠性、高性能、高品质的半导体功率器件。产品广泛应用于太阳能微逆变器、车...

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