DCS12碳化硅模块特点

分类:SiC MOSFET模块 53 0

DCS12碳化硅模块特点

1. 采用单面水冷+模封工艺,最高工作结温175℃;
2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;
3. 集成NTC温度传感器,易于系统集成;
4. 参数表现:
– VDS:650~1700V
– ID:400~1000A
– RDS(on) :1.3~6.2mΩ

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID Status Datasheet
ASC800N650DCS12
650V
1.5mΩ
800A
Product
PDF
ASC400N650DCS12
650V
3mΩ
400A
Product
/
ASC800N1200DCS12
1200V
2mΩ
800A
Product
PDF
ASC400N1200DCS12
1200V
4mΩ
400A
Product
/
ASC800N1700DCS12
1700V
3.25mΩ
800A
Product
PDF
ASC600N1700DCS12
1700V
4.3mΩ
600A
Product
PDF
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